扫描电镜透射电镜是材料表征的核心设备，操作精度要求较高，任何细节疏漏都可能导致样品损坏、数据失真甚至设备故障。这份“避坑指南”针对两类电镜的共性风险与专属痛点，从样品制备、开机调试、成像操作到关机维护，梳理关键“坑点”及规避方案，助力实验高效安全开展。
一、样品制备：规避“源头性失效”风险
样品问题是电镜操作的首要“坑点”，两类电镜需各有侧重。SEM避坑核心是“导电与干燥”：绝缘样品（如聚合物、陶瓷）未做喷金/喷碳处理，会导致电荷积累，成像出现亮斑或漂移，需根据样品尺寸选择合适的镀膜厚度（通常5-20nm）；潮湿或含挥发性成分的样品（如生物组织、凝胶）未全干燥，会污染真空系统，需通过冷冻干燥或临界点干燥处理，避免直接放入镜筒。
TEM避坑关键在“薄与净”：样品厚度超过100nm会导致电子束无法穿透，需用离子减薄或超薄切片技术控制厚度，金属样品需薄至50nm以下；样品表面残留研磨粉或清洗液，会在电子束轰击下形成污染斑，需用无水乙醇超声清洗后，用镊子顶端轻取，避免手指接触。此外，磁性样品未做消磁处理，会吸附在物镜上，需提前通过消磁仪处理，确保磁性消失。
二、开机与调试：避开“设备损伤”雷区
开机阶段操作不当易引发不可逆损伤。共性避坑点：未检查真空度直接升高压，会导致电子枪放电，需确认真空系统达到规定值（SEM真空度≥10⁻³Pa，TEM高真空≥10⁻⁵Pa）后再启动高压；忽视样品台归零，直接移动样品台可能碰撞物镜，开机前需将样品台复位至初始位置，并用低倍镜校准。
专属避坑点：SEM的电子枪灯丝未预热直接加高压，会缩短灯丝寿命，需先进行3-5分钟预热，待灯丝稳定后再调节高压值；TEM的聚光镜光阑未对中就调焦，会导致电子束偏移，需先通过光阑对中旋钮将电子束聚焦于视场中心，再进行后续操作。
三、成像操作：防范“数据失真”陷阱
成像过程中的参数设置与操作手法，直接影响数据可靠性。SEM避坑：过度追求高放大倍数而忽视工作距离，会导致成像模糊，需根据放大倍数匹配工作距离（如1000倍对应工作距离10-15mm）；未调节对比度与亮度就拍照，会丢失细节信息，需通过灰度直方图将信号强度调节至合适范围。
TEM避坑：选区电子衍射时未缩小选区光阑，会导致衍射斑重叠，需根据样品区域大小选择对应尺寸的光阑；长时间聚焦同一区域，电子束损伤会导致样品结构变化（如聚合物结晶度改变），需移动样品台更换区域，避免单点长时间照射。此外，两类电镜都需避免频繁切换放大倍数，防止镜筒内气流波动影响成像稳定性。
四、关机与维护：远离“遗留隐患”问题
关机操作的疏漏会为下次使用埋下隐患。核心避坑点：未降高压直接关真空，会污染电子枪，需先将高压降至0kV，再关闭真空系统；样品未取出就关机，会导致样品在真空环境中老化，需将样品台移出镜筒，取出样品并清洁样品室。
日常维护避坑：SEM的二次电子探测器窗口未定期清洁，会导致信号衰减，需每月用洗耳球吹除灰尘；TEM的物镜光阑易堆积碳污染，需每季度由专业人员拆解清洁，非专业人员严禁擅自拆卸。同时，需做好使用记录，标注样品类型、高压值及异常情况，为设备维护提供依据。
电镜操作的“避坑”核心，在于“敬畏设备、规范操作”，无论是新手还是熟手，都需严格遵循操作规程，关注细节差异，才能既保障设备安全，又获得精准可靠的实验数据。
主营产品：
显微镜，激光共聚焦，电镜，x射线，激光捕获显微切割，荧光成像系统，DNA/RNA合成仪，半导体行业仪器设备，生命科学仪器，光刻机，
更新时间：2025-11-24 
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