森泰克刻蚀机Etchlab 200 适用于氟基气体以及氧气、氩 气等工艺气体，具有非常高的工艺稳定性和 重复性。升级增加预真空室后，可使用氯基 气体、完成金属、化合物半导体等的干法刻 蚀工艺。下电极适用于从4吋到8吋直径的晶 圆片（更小的样片可采用载片器进样）。

森泰克感应耦合等离子刻蚀机SI 500干法刻蚀系统广泛应用于半导体制造、微纳加工、MEMS制造等领域。它可以用于刻蚀多种材料，包括但不限于三五族化合物半导体（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金属等。

简要描述：原子层蚀刻设备是一种的蚀刻技术，可精准的控制其蚀刻深度。随着元件尺寸的进一步减小，需要进一步的使用ALE才能达到其所需的精度。

简要描述：感应耦合电浆蚀刻是在标准反应离子蚀刻（RIE）的基础上，添加电感耦合电浆的。感应耦合电浆由磁场围绕石英晶体管所提供。产生的高密度电浆被线圈包围，將充当变压器中的次级线圈，加速电子和离子，从而引起碰撞，产生更多的离子和电子。

简要描述：反应离子蚀刻设备机器中可以非常精确地控制其蚀刻轮廓、蚀刻速率和均勻性，并具有重复性。等向性蚀刻以及非等向性蚀刻都是可能的。

简要描述：RIE等离子刻蚀机SI 591：预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。

简要描述等离子蚀刻机Etchlab 200根据其模块化设计，可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。

简要描述：等离子刻蚀机由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。

简要描述：深硅刻蚀机三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH等离子体工艺设备的属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。

简要描述：反应离子刻蚀机我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。