简要描述：化学气相沉积为一种薄膜沉积方法，其中将基材暴露于一种或多种挥发性气体中，在基板表面上反应或分解以生成所需的薄膜沉积物。这种方法通常用于在真空环境中制造高质量与高性能的固体材料。因此，该制程通常在半导体工业中用于制造薄膜。

简要描述：PECVD等离子沉积设备DEPOLAB 200根据其模块化设计，PECVD Depolab 200可升级为更大的真空泵组，低频射频源和更多的气路。

简要描述：带预真空室的化学气相沉积设备SI 500 PPD的特色是预真空室和干泵装置，用于无油、高产量和洁净的化学气相沉积过程。

简要描述：等离子沉积设备SI 500 D低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100#176;C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。

简要描述：化学气相沉积系统PECVD沉积设备SI 500 PPD便于在从室温到350℃的温度范围内进行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的标准的化学气相沉积工艺。

简要描述：三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。

简要描述：SENTECH二维材料刻蚀沉积能够在低温100C下高均匀度和高保形性地覆盖敏感衬底和膜层，在样品表面提供高通量的反应性气体，而不受紫外线辐射或离子轰击。

简要描述：原子层沉积设备：真远程等离子体源能够在低温100C下高均匀度和高保形性地覆盖敏感衬底和膜层，在样品表面提供高通量的反应性气体，而不受紫外线辐射或离子轰击。

简要描述：PECVD等离子沉积设备Depolab 200是SENTECH基本的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，它结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计和直接载片的成本效益设计的优点。从2″至8″晶片和样品的标准应用开始，可以逐步升级以完成复杂的工艺。

简要描述：带预真空室的化学气相沉积设备PECVD沉积设备SI 500 PPD便于在从室温到350℃的温度范围内进行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的标准的化学气相沉积工艺。