简要描述：简要描述：三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。

沉积系统介绍

高产量

等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于到200mm晶片的高产量工艺。

研发

三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。

包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。

用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。

CVD技术是建立在化学反应基础上的,通常把反应物是气态而生成物之一是固态的反应称为CVD反应，因此其化学反应体系必须满足以下三个条件:在沉积温度下,反应物必须有足够高的蒸气压。若反应物在室温下全部为气态,则沉积装置就比较简单;若反应物在室温下挥发很小，则需要加热使其挥发,有时还需要用运载气体将其带人反应室。

应生成物中,除了所需要的沉积物为固态之外,其余物质都必须是气态。

沉积薄膜的蒸气压应足够低，以保证在沉积反应过程中,沉积的薄膜能够牢固地附着在具有一定沉积温度的基片上。基片材料在沉积温度下的蒸气压也必须足够低。

热CVD（ThermalCVD）：通过高温加热使反应物气体分解或反应，成薄膜。

利用等离子体来降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。

光辅助CVD（Photo-AssistedCVD,PACVD）：利用光能（通常是紫外光）促进化学反应，常用于有机材料的沉积。

激光CVD（LaserCVD,LCVD）：利用激光束引发或促进化学反应，能够实现局部精细沉积。

金属有机CVD（Metal-OrganicCVD,MOCVD）：使用金属有机化合物作为反应物气体，广泛用于半导体和光电子器件的制造。

液态源CVD（LiquidPhaseCVD,LPCVD）：使用液态化合物作为反应物，通常需要先将液态化合物气化。

沉积系统介绍

高产量

等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于到200mm晶片的高产量工艺。

研发

三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。

包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。

用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。

CVD技术是建立在化学反应基础上的,通常把反应物是气态而生成物之一是固态的反应称为CVD反应，因此其化学反应体系必须满足以下三个条件:

在沉积温度下,反应物必须有足够高的蒸气压。若反应物在室温下全部为气态,则沉积装置就比较简单;若反应物在室温下挥发很小，则需要加热使其挥发,有时还需要用运载气体将其带人反应室。

反应生成物中,除了所需要的沉积物为固态之外,其余物质都必须是气态。

沉积薄膜的蒸气压应足够低，以保证在沉积反应过程中,沉积的薄膜能够牢固地附着在具有一定沉积温度的基片上。基片材料在沉积温度下的蒸气压也必须足够低。

热CVD（ThermalCVD）：通过高温加热使反应物气体分解或反应，形成薄膜。

利用等离子体来降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。

光辅助CVD（Photo-AssistedCVD,PACVD）：利用光能（通常是紫外光）促进化学反应，常用于有机材料的沉积。

激光CVD（LaserCVD,LCVD）：利用激光束引发或促进化学反应，能够实现局部精细沉积。

金属有机CVD（Metal-OrganicCVD,MOCVD）：使用金属有机化合物作为反应物气体，广泛用于半导体和光电子器件的制造。气态源CVD（VaporPhaseCVD,VPCVD）：使用气态化合物作为反应物。液态源CVD（LiquidPhaseCVD,LPCVD）：使用液态化合物作为反应物，通常需要先将液态化合物气化。