简要描述：单腔体脉冲激光沉积系统是一种的材料制备技术，它利用脉冲激光的高能量密度来蒸发和电离靶材上的物质，并在基底上沉积形成各种物质薄膜。这种系统通常包括一个沉积室，其中激光聚焦于靶材上的一个小面积，使其材料蒸发或电离并向基底运动。基底通常保持在较低的温度，以便在沉积过程中形成高质量的薄膜。

简要描述：双腔体脉冲激光沉积系统（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一种的薄膜制备技术，它结合了脉冲激光沉积（PLD）技术和双腔体设计的优势。这种系统通常用于在实验室环境中生长高质量的薄膜材料，广泛应用于物理、化学、材料科学和工程等领域。

简要描述：电浆原子层沉积设备是一种基于常规ALD的方法，其利用电浆作为裂化前驱物材料的条件，而不是仅依靠来自加熱基板的熱能。

简要描述：原子层沉积设备2为一种气相化学沉积技术。大多数的ALD反应，将使用两种化学物质称为前驱物。这些前驱物以连续且自限的方式与材料表面进行反应。

简要描述：原子层沉积系統是基于顺序使用气相化学过程的最重要技术之一；它可以被视为一种特殊类型的化学气相沉积（CVD）。多数ALD反应使用两种或更多种化学物质（称为前驱物，也称为“反应物“）。

简要描述：批量式电浆辅助气相沉积设备为一种使用化学气相沉积技术，可为沉积反应提供能量。与传统的CVD方法相比，可在较低的温度下沉积各种薄膜且不会降低薄膜质量。

简要描述：FPD-PECVD 电浆辅助化学气相沉积：随着LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造设备也变得更大，需要越来越大的设备投资。SYSKEY针对中小尺寸的需求开发串集的PECVD 设备，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多层膜沉积。

简要描述：感应耦合电浆化学气相沉积设备是一种使用ICP的化学气相沉积技术，可为沉积反应提供一些能量。与PECVD方法相比，ICP-CVD可以在较低的温度下沉积各种薄膜而不会降低薄膜质量。因使用ICP做为电浆源，有电浆浓度较高、能量损耗较低、功率較大与反应速率较高等优点。

简要描述：低真空化学气相沉积设备是一种化学气相沉积技术，利用热能在基板表面上引发前驱气体的反应。表面的反应是形成固化材料的原因。

简要描述：电浆辅助式化学气相沉积设备是一种使用电浆的化学气相沉积(CVD)技术，可为沉积反应提供一些能量。与传统的CVD方法相比，PECVD可以在较低的温度下沉积各种薄膜且不会降低薄膜质量。