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PECVD等离子沉积设备

  • 产品型号:
  • 更新时间:2024-10-10

简要描述:简要描述:PECVD等离子沉积设备Depolab 200是SENTECH基本的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,它结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计和直接载片的成本效益设计的优点。从2″至8″晶片和样品的标准应用开始,可以逐步升级以完成复杂的工艺。

产品详情

PECVD等离子沉积设备

低成本效益高

PECVD等离子体增强化学气相沉积设备Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接载片相结合。

升级扩展性

根据其模块化设计,PECVD Depolab 200可升级为更大的真空泵组,低频射频源和更多的气路。

SENTECH控制软件

强大的用户友好软件包括模拟图形用户界面,参数窗口,工艺处方编辑窗口,数据记录和用户管理。


Depolab 200是SENTECH基本的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,它结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计和直接载片的成本效益设计的优点。从2″至8″晶片和样品的标准应用开始,可以逐步升级以完成复杂的工艺。

PECVD Depolab 200的显著特点是系统的可靠设计,软件和硬件的灵活性。在该设备上开发了不同的工艺,例如用于高质量氮化硅和氧化硅层的沉积。PECVD Depolab 200包括带气路柜的反应腔体,电子控制,计算机、前级泵和配电箱。

Depolab 200 等离子增强沉积设备用于在从室温到400℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。PECVD Depolab 200特别适用于沉积用于刻蚀掩膜,电隔离膜及其他的介质膜。

PECVD Depolab 200由SENTECH的控制软件操作,使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。

  • Depolab 200


  • 等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备

  • 开盖载片

  • 适用于大到200mm的晶片

  • 衬底温度可高达400 °C

  • 可选低频射频降低应力

  • 干泵组

  • 占地面积小

  • PECVD(等离子体增强化学气相沉积)等离子沉积设备是一种先进的材料表面处理技术,广泛应用于半导体制造、光伏产业、防护涂层及生物医学等多个领域。该技术通过利用等离子体的能量激活化学反应,在基材表面沉积出具有特定性能的薄膜,具有低温过程、高附着力和均匀性、优异的覆盖能力以及环境友好等显著特点。以下是对PECVD等离子沉积设备的详细产品介绍。### 一、技术原理PECVD技术结合了等离子体物理与化学气相沉积的优势,通过射频等手段使含有薄膜组成原子的气体在局部形成等离子体。等离子体中的高能电子、离子和自由基等活性粒子与气体分子发生碰撞,促进化学反应的进行,从而在基材表面沉积出所需的薄膜。这一过程不仅降低了沉积温度,还提高了沉积速率和薄膜质量。### 二、设备特点1. **高真空系统**:PECVD设备通常配备有高真空系统,由双级旋片真空泵和分子泵组成,以确保反应腔体内的高真空度,有利于减少杂质干扰,提高薄膜质量。2. **精确的气体控制系统**:设备采用数字质量流量控制系统,由多路质量流量计、流量显示仪等组成,实现对气体流量的精确测量和控制。同时,每条气体管路均配备高压逆止阀,保证系统的安全性和连续均匀性。3. **模块化设计**:PECVD设备往往采用模块化设计,便于根据实际需求进行升级和扩展。例如,可以升级为更大的真空泵组、低频射频源和更多的气路,以满足不同工艺的需求。4. **先进的控制系统**:设备配备有先进的控制软件,通过远程现场总线技术和用户友好的图形用户界面,实现对工艺参数的精确控制和实时监控。用户可以通过参数窗口、工艺处方编辑窗口等功能,轻松设置和调整工艺参数。5. **广泛的适用性**:PECVD设备适用于多种材料的薄膜沉积,包括氧化硅、氮化硅、碳膜等。同时,其优异的覆盖能力使得该技术能够实现对复杂形状基材的均匀涂覆。### 三、应用领域1. **半导体制造**:在半导体设备生产中,PECVD技术用于沉积氧化硅、氮化硅等介电层,这些层是制造现代集成电路。通过精确控制薄膜的厚度和均匀性,PECVD技术有助于提高半导体器件的性能和可靠性。2. **光伏产业**:PECVD被广泛应用于太阳能板的生产过程中,特别是在沉积硅薄膜和透明导电氧化物(TCO)层方面。






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