简要描述：简要描述：FPD-PECVD 电浆辅助化学气相沉积：随着LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造设备也变得更大，需要越来越大的设备投资。SYSKEY针对中小尺寸的需求开发串集的PECVD 设备，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多层膜沉积。

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FPD-PECVD 电浆辅助化学气相沉积

FPD-PECVD 电浆辅助化学气相沉积

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加，其製造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發串集的PECVD 設備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

FPD-PECVD 电浆辅助化学气相沉积

FPD-PECVD（Field Plasma Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种电浆辅助化学气相沉积技术，它利用电场产生的等离子体来促进化学气相沉积过程。该技术在薄膜材料的制备中具有重要作用，特别是在大面积平板显示（Flat Panel Display，FPD）制造领域。

FPD-PECVD技术通过在反应室内施加电场，激发气体分子产生等离子体。等离子体中的高能粒子与化学前驱体分子发生反应，形成沉积在基板上的薄膜。与传统的PECVD技术相比，FPD-PECVD能够更有效地控制等离子体的分布和能量，从而提高薄膜的质量和均匀性。

该技术广泛应用于液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）面板的生产中，用于沉积绝缘层、导电层、保护层等关键薄膜。FPD-PECVD技术的优化和应用对于提升显示面板的性能和生产效率具有重要意义。

應用領域
非晶矽前驅物（a-Si）。氮化矽 (SiNx)。氧化矽，矽烷基(SiOx)。氧化矽，TEOS (SiOx)。
配置和優點	選件
客製化基板尺寸為550 x 650 mm2(玻璃)。優異的薄膜均勻度小於±3％。每個製程腔內最多可加裝7組氣體管線。遠程電漿進行腔體清潔。穩定的溫度控制，可將基板加熱到380°C。	Cassette傳送站。 TEOS沉積製程。 OES、RGA或製程監控的額外備用端口。

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