简要描述：简要描述：电浆原子层沉积设备是一种基于常规ALD的方法，其利用电浆作为裂化前驱物材料的条件，而不是仅依靠来自加熱基板的熱能。

高k值之氧化物。

OLED和矽太陽能電池的鈍化層。

微機電系統。

納米電子學。

納米孔結構薄膜。

光學薄膜。

薄膜封裝技術。

鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。

通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。

客製化的基板尺寸，直徑可達300mm晶圓。

優異的薄膜均勻度小於±1％。

較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。

遠程等離子體電漿源。

前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。

快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。

通過穩定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。

材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。

可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。

橢圓偏振光譜儀。

高真空傳送系統。

高k值之氧化物。

OLED和矽太陽能電池的鈍化層。

微機電系統。

納米電子學。

納米孔結構薄膜。

光學薄膜。

薄膜封裝技術。

鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。

通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。

客製化的基板尺寸，直徑可達300mm晶圓。

優異的薄膜均勻度小於±1％。

較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。

遠程等離子體電漿源。

前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。

快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。

通過穩定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。

材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。

可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。

橢圓偏振光譜儀。

高真空傳送系統。