等离子蚀刻机Etchlab 200
低成本效益高
等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。
升级扩展性
根据其模块化设计,等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组,预真空室和更多的气路。
SENTECH控制软件
该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件,具有模拟图形用户界面,参数窗口,工艺编辑窗口,数据记录和用户管理。
代表了直接置片家族,它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载,从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。
Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料,包括但不限于硅和硅化合物,化合物半导体,介质和金属。
Etchlab 200通过的SENTECH控制软件操作,使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。
主要基于等离子体的产生和应用,其详细原理可以归纳如下:### 一、等离子体产生* **气体引入与电离**:在Etchlab 200等离子蚀刻机中,首先会向真空室内引入适量的气体(如氧气、氟气等),这些气体在高频电场的作用下被电离,形成等离子体。等离子体是由部分离化的中性气体组成,其中包含离子、电子、原子和活性基团等“活性"组分。* **加速过程**:产生的等离子体随后被加速器加速,使其具有足够的能量来撞击材料表面。### 二、刻蚀过程* **物理刻蚀**:加速后的等离子体以高速撞击材料表面,通过物理碰撞将表面的原子或分子击出,这个过程称为物理刻蚀。* **化学刻蚀**:同时,等离子体中的活性组分(如离子、自由基等)与材料表面发生化学反应,进一步促进刻蚀过程。这些化学反应可能包括氧化、还原、置换等,具体取决于所使用的气体种类和材料性质。### 三、刻蚀产物移除* 刻蚀过程中产生的产物会附着在材料表面,为了保持刻蚀的连续性和精度,需要将这些产物及时移除。Etchlab 200等离子蚀刻机通过引入适量的气体(如惰性气体)与刻蚀产物反应,形成易挥发的化合物,从而将刻蚀产物带走。### 四、控制系统* Etchlab 200等离子蚀刻机配备了先进的控制系统,可以调整等离子体的能量、气体流量等参数,以精确控制刻蚀过程的速率和精度。此外,该系统还具备模拟图形用户界面、参数窗口、工艺编辑窗口等功能,方便用户进行工艺设置和监控。### 五、应用特点* **高精度**:由于等离子体的高能量和精确控制,Etchlab 200能够实现高精度的微细结构制造和加工
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